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电子元器件详细资料 » IC[20401] » IXFA4N100P
型号:IXFA4N100P类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
系列Polar™ HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.3 欧姆 @ 2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs26nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1456pF @ 25V
功率_最大150W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)
包装管件

供应商

深圳市华创欧科技有限公司朱先生086-0755-23945755 83248872
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
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